半导体激光器的原理
半导体激光器是以直接带隙半导体材料构成的 Pn 结或 Pin 结为工作物质的一种小型化激光器。半导体激光工作物质有几十种，普通蓝光半导体激光器采购，目前已制成激光器的半导体材料有、铟、锑化铟、硒化铅、碲化铅、铝、铟磷等。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式 、光泵式和高能电子束激励式。绝大多数半导体激光器的激励方式是电注入，普通蓝光半导体激光器采购，即给 Pn 结加正向电压，以使在结平面区域产生受激发射 ，也就是说是个正向偏置的二极管 。因此半导体激光器又称为半导体激光二极管。
半导体激光器分类
1、激光二极管（LD）：也称为注入激光二极管（ILD），龙岩蓝光半导体激光器采购，是常见的半导体激光器，具有率、小尺寸和低成本等优点。
2、垂直腔面发射激光器（VCSEL）：VCSEL的激光光束垂直于芯片表面发射，适用于高速通信和光纤传感等应用。
3、混合结构激光器：利用不同材料的优势，结合多种结构，窄线宽蓝光半导体激光器采购，实现特定的性能要求。
4、外腔激光二极管（ECL）：在激光二极管的输出端加入外腔，提高激光器的功率和光谱特性。
5、阱激光器：在半导体材料中引入阱结构，提高激光器的性能和可靠性。
半导体式激光器
半导体式激光器是指用电注人或光激发等方式使电子受激辐射跃迁(产生激光)的半导体器件。可用作中、长距离高速光纤通信系统的光源。激光的特点是受激辐射发出的光的全部特性与激发光完全相同。为了使半导体激光器发射激光，要求将大量非平衡载流注入并限制在有源区以形成粒子数反转分布，使载流子在该区域内受激复合发光。
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